Полупроводниковые лазеры высокой мощности являются основным насосным источником в твердотельных и волоконных лазерных системах и имеют важную прикладную ценность в области промышленной обработки и обороны. В данной статье представлен насосный лазер для системы среднего инфракрасного волоконного лазера. В качестве насосного источника для волоконного лазера устройство должно обладать высокой выходной мощностью, высокой эффективностью, а также хорошим сроком службы и надежностью. В работе использованы квантовые ямы InGaAs/GaAsP с высокими энергетическими уровнями для улучшения ограничения носителей заряда, спроектирована асимметричная волноводная структура и применена градиентная технология легирования для снижения поглощения носителей заряда и последовательного сопротивления. В конечном итоге был изготовлен одиночный лазер с гребневой шириной 200 мкм, выходная мощность достигла 16.12 Вт, максимальный КПД составил 53%. Лазерный модуль из 10 одиночных лазеров был соединен с оптическим волокном 105 мкм с NA 0.18, максимальная выходная мощность составила 113 Вт. Результаты тестирования показывают, что лазер обладает высокой стабильностью мощности и температуры, что улучшает его надежность.

Полупроводниковый лазер; высокая мощность; коэффициент преобразования; надежность