В статье на основе стандартных уравнений скорости предложена электрическая модель светодиода с одинарной квантовой ямой InGaN/GaN. Эта модель с помощью двух уравнений скорости описывает перенос носителей заряда в изолирующих гетероформационных соединениях и квантовой яме, а третье уравнение скорости описывает динамические характеристики фотонов в квантовой яме. С использованием разработанной модели мы систематически изучили влияние толщины квантовой ямы на статические и динамические характеристики устройства. Результаты моделирования показывают, что светодиод с шириной квантовой ямы 4 нанометра демонстрирует лучшие характеристики световая мощность-ток, тогда как светодиод с шириной квантовой ямы 3 нанометра обладает более широкой полосой модуляции 3 dB, что также показывает, что высокая плотность носителей в квантовой яме, хотя и негативно влияет на статические характеристики, эффективно улучшает динамические характеристики.

Одинарная квантовая яма; уравнения скорости; электрическая модель; характеристики световой мощности-тока; полоса модуляции