В полупроводниковом лазере с многочисленными источниками, образованными путем туннельной структуры, из-за отсутствия эффективной поперечной оптической связи между областями излучения активных областей лазера, лазерные пятна каждой активной области проявляются в дальнем поле как несколько некогерентных дискретных пространственных распределений. После быстрого выравнивания выходной луч проявляется в виде серии симметричных дискретных угловых распределений относительно оптической оси, что не только приводит к значительному увеличению дальнего угла рассеяния, но также сохраняет распределение интенсивности в дальнем поле как многократная структура. После фокусировки и изображения вызывает деградацию качества фокусировки, ограничивающую эффективность связи оптоволокна и яркость выходного луча. Для решения этой проблемы в данной статье предлагается метод формирования пучка на основе управления критическим углом полного отражения и симметричной структуры высокого отражения, путем восстановления углов излучения множественных активных областей на выборочное отражение по критическому углу, что делает распределение трех пиков в исходных условиях дискретной угловой области сжатие после формирования становится концентрический одиночный пиковый дистрибутив, который сжимает полное быстрое сжатие на 0,52° до 0,11° и достигает около 79% степень сжатия угла, повышает единообразие направления луча множественных активных областей. В связке со сверхуасовкой экструдера сомкнутых зон быстрых областей огранщиков, которые обеспечивают масштабирование параметров бистичных и быстрых осей. После формирования параметры светового барьража уменьшились с 54,6 мм·мрад до 22,8 мм·мрад и после фокусировки упругости в световое излучение преобразовалось из трех разрозненых распределеений в единое сосредоточенное распределение, а световое излучение из светоопровода преобразовалось в 22,8 мм·мрад, и световое излучение физического измерения фокуса преобразовано из из трех распространенния светрвоенных светроенния светрвоходяходятчисленных светрвоций светрвоходятьчисленных светрвоций светрвоходятчисленных светрвоций сечен сечен фасечен фасечен светрвоцет фасечен фасечен фасечен фасечен светрвоцет фасечен фасечен светрвоцет светрвоцет светрвоцет светрвоцет вылеты и фазы тиблечные цветы цветы итивцемости финальными эфтцивнымицтами побридные заданиями побридные заданиями побридные заданиямимотный TKЛ.

Полупроводниковый лазер с множественными источниками, образованными туннельной структурой;Быстрое выравнивание;Формирование луча и коррекция угла;Качество луча;Оптоволоконная связь