Кристаллы Cs₂LaLiBr₆∶Ce (CLLB∶Ce) обладают отличным энергическим разрешением и высокой световой выходностью, однако характеристики сцинтилляции, такие как разделение нейтрон/гамма (n/γ), требуют дальнейшего улучшения. В данной работе методом Бриджмана были успешно выращены кристаллы CLLB∶Ce размером Φ10 мм×50 мм с различной концентрацией совместного легирования Zn²⁺. Систематически изучено влияние совместного легирования Zn²⁺ на кристаллическую структуру, сцинтилляционные свойства и дефектные характеристики кристаллов CLLB∶Ce. С помощью термолюминесценции (TL) проанализированы изменения положений и количества дефектных уровней в кристаллах после легирования Zn²⁺, а температурно-зависимая рентгеновская люминесценция (XEL) выявила механизм влияния дефектов на сцинтилляционный процесс. Результаты показывают, что совместное легирование Zn²⁺ приводит к перестройке структуры уровней дефектов матрицы, регулирование типов и количества дефектов позволяет настраивать процесс сцинтилляции и влияет на соотношение быстрого и медленного компонентов времени жизни сцинтилляции. При совместном легировании 0.1% Zn²⁺ энергоразрешающая способность при 662 кэВ излучении 137Cs улучшилась с 3.8% до 3.2%, что превосходит коммерческие кристаллы LaBr₃∶Ce. Следовательно, совместное легирование Zn²⁺ является эффективным методом улучшения сцинтилляционных свойств кристаллов CLLB∶Ce, а также позволяет регулировать время затухания для улучшения разделения n/γ. Кристаллы CLLB∶Ce, легированные Zn, имеют хорошие перспективы применения в области ядерного радиационного детектирования.

сцинтилляционные кристаллы; CLLB∶Ce; разделение нейтрон/гамма; сцинтилляционные свойства; термолюминесценция; обсуждение механизма