Фосфоресцирующий светодиод с преобразованием ближнего инфракрасного излучения (NIR pc-LED) представляет собой многообещающий источник небольших размеров ближнего инфракрасного излучения, но из-за отсутствия широкополосного фосфоресцирующего материала в длительной области длин волн, его развитие ограничено. В данной работе с помощью метода высокотемпературного твердофазного синтеза был получен ряд широкополосных фосфоресцирующих материалов Hf_1-xTe₃O₈ （HTO）： xCr³⁺（x = 0~0.15）, и изучена их кристаллическая структура и светоизлучающие свойства. Результаты исследования показали, что при возбуждении синим светом длиной волны 450 нм, HTO： Cr³⁺ фосфоресцирующий материал инфракрасного излучения показывает широкополосное ближнее инфракрасное излучение, основной пик излучения приходится на 865 нм, а полуширина на полувысоте составляет 167 нм (2149 см^-1). Результаты расчета кристаллического поля показали, что данное широкополосное ближнее инфракрасное излучение вызвано тем, что Cr³⁺ занимает узкую кристаллическую решетку (D_q/B = 1.97), i.e. речь идет о том, что он является одиночным кристаллическим узлом Hf⁴⁺. Кроме того, на основе оптимизированного HTO： Cr³⁺ фосфоресцирующего материала и светодиодной матрицы синего света были изготовлены устройства NIR pc-LED, и с помощью экспериментов при различных сценариях была продемонстрирована его применимость в ночном видении, биомедицинской визуализации и других областях.

Примесь Cr³⁺ ;HfTe₃O₈;Фосфоресцирующий материал,Широкополосный,Одиночный узел