Переводящий фосфор светодиода с близким инфракрасным свечением (NIR pc-LED) является перспективным миниатюрным источником ближнего инфракрасного излучения, но из-за нехватки длинноволновых широкополосных ближних ИК фосфоров его развитие ограничено. В этой работе методом высокотемпературной твердотельной реакции была приготовлена серия Hf_1-xTe₃O₈ (HTO): xCr³⁺ (x = 0~0.15) длинноволновых широкополосных ближних ИК фосфоров, и проанализированы их кристаллическая структура и световые свойства. Результаты показывают, что при возбуждении синим светом длиной волны 450 нм HTO: Cr³⁺ длинноволновые широкополосные ближние ИК фосфоры демонстрируют основную эмиссионную пиковую длину волны на 865 нм с шириной по полувысоте 167 нм (2149 см^-1). Расчеты силы кристаллического поля показывают, что этот длинноволновой широкополосный ближний ИК источник излучения связан с Cr³⁺, расположенным в слабом кристаллическом поле (D_q/B = 1.97) на единственной кристаллографической позиции Hf⁴⁺. Далее, с использованием оптимизированного HTO: Cr³⁺ ближнего ИК фосфора и синих светодиодных чипов были изготовлены устройства NIR pc-LED, и посредством проектирования экспериментальных сценариев применения доказано, что данный фосфор имеет определенную прикладную ценность для ночного видения, биомедицинской визуализации и других областей.

легирование Cr³⁺; HfTe₃O₈; ближний ИК фосфор; широкополосный; однопозиционное заполнение