Квантовые точки CsPbBr₃ (QDs) демонстрируют огромный потенциал в области QLED благодаря высокой квантовой эффективности фотоизлучения и узкополосному спектру излучения. На поверхности CsPbBr₃ QDs присутствует множество вакансий брома (V_Br) и несвязанных ионов свинца Pb²⁺, которые вводят ловушки в энергетическую зону, способствуя безызлучательной рекомбинации носителей и снижая эффективность устройств. В данной работе применена совместная стратегия пассивации с использованием DDAB и DOTA, которая за счет синергии эффективно заполняет поверхностные вакансии V_Br и координируется с оголёнными Pb²⁺, уменьшая поверхностные дефекты и улучшая светоизлучающую эффективность квантовых точек. Анализ с помощью TEM, XRD и FT-IR показал, что квантовый выход фотолюминесценции (PLQY) обработанных пассивацией точек увеличился до 99,65%, а также улучшились тепловая стабильность и способность формирования пленок. Изготовленные QLED достигли максимальной яркости 8000 кд/м² и максимального внешнего квантового выхода (EQE) 5,29%, что в 1,48 раза выше, чем у устройств с непассивированными квантовыми точками.

перовскит; квантовые точки; совместная пассивация; поверхностные дефекты