Оксид лютеция (Lu₂O₃) как материал для лазерных кристаллов с высоким потенциалом применения обладает высокой теплопроводностью, низкой энергией фононов и сильными свойствами кристаллического поля, что дает ему значительные преимущества в области лазеров. Однако температура плавления кристалла до 2450℃ приводит к очень высокой температуре выращивания кристаллов, что затрудняет поддержание стабильного теплового градиента, вызывает неоднородность локальной скорости роста и, как следствие, значительное увеличение дефектов кристалла, что серьезно влияет на качество кристалла. В данной работе с помощью сфокусированного ионного пучка и растровой электронной микроскопии, а также просвечивающей электронной микроскопии, были проверены дефекты малых угловых зерен в кристаллах Lu₂O₃; с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции и дифракции Лау было изучено влияние дефектов малых угловых зерен на качество кристалла; с помощью просвечивающей электронной микроскопии в темнопольном режиме с высоким углом и обратного преобразования Фурье были исследованы причины образования ямок дислокаций вблизи границ зерен, что предоставляет теоретические рекомендации для оптимизации процесса выращивания кристаллов и улучшения их характеристик.

Кристаллы Lu₂O₃; малоугольные границы зерен; кривая качания; дефекты дислокаций