摘要
В данной статье был проведен обзор основных принципов, характеристик, развития и применения различных типов полупроводниковых микрорезонаторных лазеров. Распределенный обратный (DFB) лазер полагается на свою брэгговскую решетку, обеспечивающую стабильный одномодовый выход, и подходит для применения в высокоскоростных высокоемкостных оптических коммуникациях и интегральных кремниевых фотонных устройствах и др.; лазер с реверберационными стенками (WGM) полагается на высокие коэффициенты качества и низкую пороговую характеристику и подходит для применения в нелинейной оптике и в высокочувствительных датчиках; вертикально излучающий лазер (VCSELs) обладает хорошими характеристиками низкого энергопотребления и высокой скорости модуляции, подходит для применения в краткодальней передачи, распознавании лиц, оптическом радаре и в других областях потребительской электроники; лазер с активной зоной скрытого уровня энергии (LEAP) нацелен на улучшение эффективности использования энергии и уровня интеграции для ускорения инновационного развития фотонных систем; полостной кристаллический лазер (PCSELs) с высокой мощностью, низким углом излучения и высоким качеством пучка выхода, является новым источником высокопроизводительного лазера. В статье проведен анализ характеристик этих лазеров и областей их применения, собраны их особенности технические и обсуждены будущие тенденции развития.
关键词
микрорезонаторные лазеры; распределенный обратный лазер; лазер с реверберационными стенками; вертикальный излучающий лазер; полостной кристаллический лазер