Перовскитные солнечные элементы (PSCs) обладают выдающейся фотоэлектрической эффективностью (PCE), но их производительность все еще ограничена поверхностными дефектами на интерфейсе перовскит/слой электронного переноса (ETL), которые значительно препятствуют переносу электронов. В данной работе инновационно использован метод вакуумного термического испарения для введения промежуточного слоя LiF между перовскитом и ETL. Исследования показали, что F^- из LiF могут взаимодействовать с незанятыми дефектами Pb²⁺ на поверхности перовскита, образуя стабильные Pb—F связи, что позволяет эффективно пассивировать поверхностные дефекты. Эта стратегия улучшила морфологию поверхности пленки и значительно повысила эффективность электронного переноса на интерфейсе. Экспериментальные результаты показали, что PCE PSCs с пассивацией LiF повысилась с 21.21% до 22.33%, а индекс гистерезиса (HI) устройства заметно снизился. При ускоренных тестах старения при 60 ℃ устройства с пассивацией LiF демонстрировали отличную стабильность, сохраняя 85% первоначальной эффективности после 820 часов старения. Эта простая, надежная и масштабируемая стратегия инженерии интерфейса предлагает новый подход к разработке эффективных и стабильных PSCs.

Перовскитные солнечные элементы; вакуумное термическое испарение; пассивация дефектов интерфейса