Перовскитные солнечные элементы (PSCs) обладают выдающейся фотоконверсионной эффективностью (PCE), однако их производительность по-прежнему ограничена поверхностными дефектами на границе перовскит/слой переноса электронов (ETL), которые значительно препятствуют переносу электронов. В данной работе инновационно применен метод вакуумного термического испарения для введения промежуточного слоя LiF между перовскитом и ETL. Исследования показали, что ионы F^- в LiF могут взаимодействовать с несвязанными дефектами Pb²⁺ на поверхности перовскита, образуя стабильные связи Pb—F, что обеспечивает эффективное пассивирование поверхностных дефектов. Эта стратегия улучшает морфологию поверхности пленки и значительно повышает эффективность переноса электронов на интерфейсе. Экспериментальные результаты показывают, что PCE PSCs, пассивированных LiF, увеличилась с 21,21% до 22,33%, при этом индекс гистерезиса (HI) значительно снизился. При ускоренном старении при 60 ℃ устройства с пассивацией LiF демонстрируют отличную стабильность, сохраняя 85% первоначальной эффективности после 820 часов старения. Эта простая, надежная и масштабируемая стратегия интерфейсного инжиниринга предоставляет новые идеи для разработки высокоэффективных и стабильных PSCs.

перовскитные солнечные элементы; вакуумное термическое испарение; пассивация дефектов интерфейса