Перквскитные солнечные элементы (PSCs) обладают превосходным коэффициентом преобразования энергии (PCE), однако их производительность ограничена поверхностными дефектами на интерфейсе перовскит/слой переноса электронов (ETL), которые значительно препятствуют переносу электронов. В данной работе инновационно используется метод вакуумного термического испарения для введения промежуточного слоя LiF между перовскитом и ETL. Исследования показывают, что F^- из LiF взаимодействуют с неисполированными дефектами Pb²⁺ на поверхности перовскита, формируя стабильные связи Pb—F, что обеспечивает эффективное пассивирование поверхностных дефектов. Эта стратегия улучшает морфологию поверхности пленки и значительно повышает эффективность переноса электронов на интерфейсе. Экспериментальные результаты показывают, что PCE PSCs с LiF-пассивированием увеличивается с 21,21% до 22,33%, а индекс задержки устройства (HI) заметно снижается. При ускоренных тестах старения при 60 ℃ устройства с LiF демонстрируют отличную стабильность, сохраняя 85% начальной эффективности после 820 часов старения. Эта простая, надежная и масштабируемая стратегия интерфейсного инженерного подхода предлагает новые идеи для разработки высокоэффективных и стабильных PSCs.

Перовскитные солнечные элементы;Вакуумное термическое испарение;Пассивация дефектов интерфейса