Перовскитные солнечные элементы (PSCs) обладают выдающейся фотоэлектрической эффективностью (PCE), однако их производительность всё ещё ограничена поверхностными дефектами на границе перовскит/слой переноса электронов (ETL), которые сильно препятствуют переносу электронов. В данной работе инновационно применён метод вакуумного термического испарения для внедрения промежуточного слоя LiF между перовскитом и ETL. Исследования показали, что ионы F^- в LiF взаимодействуют с несогласованными дефектами Pb²⁺ на поверхности перовскита, образуя стабильные Pb-F связи, что обеспечивает эффективное пассивирование поверхностных дефектов. Эта стратегия улучшает морфологию поверхности пленки и значительно повышает эффективность электронного транспорта на интерфейсе. Экспериментальные результаты показали, что после пассивации LiF PCE PSCs повысилась с 21,21% до 22,33%, при этом индекс гистерезиса устройства (HI) заметно снизился. При ускоренном тесте старения при 60 ℃ устройства с пассивацией LiF продемонстрировали отличную стабильность, сохраняя 85% начальной эффективности после 820 часов старения. Эта простая, надежная и масштабируемая технология интерфейсной инженерии предлагает новый подход к разработке высокоэффективных и стабильных PSCs.

перовскитные солнечные элементы;вакуумное термическое испарение;пассивирование дефектов интерфейса