Фотоэлектрические характеристики перевернутого Micro-LED на основе AlGaInP с поверхностью в виде пчелиных сот

XIE Jun ,  

ZHANG Wei ,  

XIE Zijing ,  

XU Shenghai ,  

WANG Hong ,  

摘要

Низкая эффективность извлечения света у красного Micro-LED на основе AlGaInP ограничивает интенсивность излучения устройства. В данной статье предложена технология самосборки металлической никелевой нано-маски и влажного травления для получения поверхности GaP с высокой плотностью и высокой однородностью текстуры. За счет текстурирования поверхности увеличивается критический угол и снижается эффект полного внутреннего отражения, что эффективно повышает эффективность извлечения света устройства. Использовались никелевые маски разной толщины для получения поверхностей с различной морфологией. Результаты показали, что при плотности тока 20 A/cm2 световая интенсивность и внешняя квантовая эффективность Micro-LED, подвергнутого влажному травлению с использованием металлической никелевой нано-маски толщиной 1 нм, увеличились на 21,04% и 23,58% соответственно по сравнению с Micro-LED без текстурирования поверхности. Предложен метод изготовления поверхности с текстурой в виде пчелиных сот с цилиндрической структурой с использованием сухого травления ICP в сочетании с влажным травлением. После ICP-травления слоя GaP с различным временем влажного травления при плотности тока 20 A/cm2 световая интенсивность и внешняя квантовая эффективность Micro-LED, обработанного ICP и влажным травлением (10 с*3 раза), увеличились на 81,61% и 48,40% соответственно по сравнению с Micro-LED без текстуры поверхности.

关键词

AlGaInP;перевернутый;эффективность извлечения света;Micro-LED;поверхностная текстура

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website