Фотовольтаические характеристики перевернутого Micro-LED на основе AlGaInP с сотоподобной поверхностью
摘要
Низкая эффективность извлечения света красных Micro-LED на основе AlGaInP ограничивает интенсивность свечения устройства. В статье предложена технология самоорганизующейся металлической никелевой наномаски и влажного травления для получения высокоплотной, высокооднородной текстуры поверхности GaP. Поверхностная текстура увеличивает критический угол, снижая эффект полного внутреннего отражения, что эффективно повышает эффективность извлечения света устройства. Использовались никелевые маски разной толщины для получения различных морфологий поверхностной текстуры. Результаты показывают, что при плотности тока 20 А/см2 интенсивность свечения и внешняя квантовая эффективность Micro-LED с влажным травлением, выполненным с помощью никелевой маски толщиной 1 нм, увеличились на 21,04% и 23,58% соответственно по сравнению с Micro-LED без поверхностной текстуры. Предложена комбинация ICP сухого травления и влажного травления для создания шестигранной цилиндрической поверхностной текстуры. После ICP-травления GaP слоя с последующим влажным травлением разное время, при плотности тока 20 А/см2, интенсивность свечения и внешняя квантовая эффективность Micro-LED с 10-секундным влажным травлением три раза в сочетании с ICP-травлением увеличились на 81,61% и 48,40% соответственно по сравнению с Micro-LED без поверхностной текстуры.
关键词
AlGaInP;перевернутый;эффективность извлечения света;Micro-LED;текстура поверхности
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website