Оксид галлия обладает такими преимуществами, как низкое поглощение рентгеновского излучения, высокое электрическое поле, низкий темный ток и высокую физико-химическую стабильность, и представляет собой один из важных материалов для непосредственного преобразования рентгеновского излучения. В данной статье детально обсуждаются особенности детекторов рентгеновского излучения из оксида галлия и представляются исследования в этой области. На данный момент были получены детекторы рентгеновского излучения из таких материалов, как аморфный оксид галлия, многокристаллический (включая микрокристаллы и нанокристаллы) оксид галлия, кристально-ориентированные эпитаксиальные пленки оксида галлия, монокристаллический оксид галлия в виде кристаллического блока и микропроводов оксида галлия. Исследовались их характеристики детектирования, используемые для этого структуры, такие как металл-полупроводник-металл (MSM), структура Шоттки, гетероструктура и вакуумная структура, а также выдвинуты множественные механизмы фотоэлектрического преобразования, такие как фотопроводимость, умножение несущих и применение эффекта фотопроводимости, включая эффект возможного завала электронов. В области применения устройств показано использование детекторов рентгеновского излучения из оксида галлия в радиационных дозиметрах, рентгеновском изображении и портативных датчиках рентгеновского излучения. Исходя из вышеупомянутых исследований, авторы статьи далее пытаются предположить будущие направления исследований детекторов рентгеновского излучения из оксида галлия.