Микроразмерные, низкоэнергетичные и высокопроизводительные фотоэлектрические датчики являются важным направлением исследований в области фотоэлектрических интегральных микросхем и интеллектуальных сенсорных технологий. Среди них пироэлектрические фотоэлектрические детекторы с управлением поляризационным полем обладают преимуществами автономного питания, быстрого отклика, высокой чувствительности и широкой полосы пропускания, что сделало их новой горячей темой в области фотоэлектрических датчиков. В данной статье сначала объясняются основные принципы пироэлектрического фотоэлектронного эффекта, обобщается ключевая роль однородного поляризационного поля в повышении фотоэлектрической откликательной способности детекторов с различными типами переходных областей, суммируются методы оптимизации различных пироэлектрических фотоэлектрических детекторов и их особенности применения. На этой основе подробно рассматриваются механизмы усиления пироэлектрического фотоэлектронного эффекта за счет неоднородного поляризационного поля в p-n переходах и методы его создания; введением градиентного поляризационного поля достигнуты p-n переходные пироэлектрические фотоэлектрические детекторы с превосходной характеристикой отклика в широком спектральном диапазоне. В завершение статьи рассматриваются перспективы развития пироэлектрических фотоэлектрических сенсоров с точки зрения принципов проектирования, конфигурации устройств и специализированных применений. Исследования фотоэлектрических детекторов с управлением поляризационным полем обеспечат гибкие концепции проектирования для развития пироэлектрической фотоэлектроники и значительно поспособствуют практическому применению пироэлектрических фотоэлектрических детекторов в областях интеллектуального сенсинга, связи и сверхбыстрой визуализации.

пироэлектрический фотоэлектронный эффект;поляризационное поле;градиентное поляризационное поле;фотоэлектрические датчики;автономное питание