Микро- и энергоэффективные фоторезистивные датчики с превосходной производительностью являются важным направлением исследований в области фотоинтегральных микросхем и интеллектуальных датчиков. Из них фоторезистивный датчик, управляемый поляризационным полем, обладает преимуществами, такими как самопитание, быстрый отклик, высокая чувствительность и широкий полосой пропускания, и уже стал новым перспективным направлением исследований в области фотоинтегральных датчиков. В данной статье первоначально разъясняется основной принцип фоторезистивного эффекта, обобщается ключевая роль эффекта униформированного поляризационного поля в улучшении электрооптической чувствительности различных типов датчиков фототока, обобщаются различные стратегии оптимизации фоторезистивных датчиков и их специализированные применения. На этой основе более глубоко рассматривается механизм усиления фоторезистивного эффекта неуниформированным поляризационным полем в структуре PN и его методы построения; путем введения градиентного поляризационного поля достигается фоторезистивный датчик структуры PN с превосходной электрооптической чувствительностью в широком спектральном диапазоне. Наконец, через три аспекта дизайна, конструкции прибора и специализированных применений прогнозируются перспективы развития фоторезистивных фоторезистивных датчиков. Исследования фоторезистивных датчиков с управлением поляризационного поля будут обеспечивать гибкие концепции дизайна для развития фоторезистивных датчиков в области интеллектуальных датчиков, связи и сверхбыстрой обработки изображений.

Фоторезистивный эффект; поляризационное поле; градиентное поляризационное поле; фотоинтегральный датчик; самопитание