Двухмерные полупроводники обладают толщиной, ограниченной атомным слоем, и особенностями ван-дер-ваальсовой интеграции. При комнатной температуре излучение возбуждается экситонами и является передовым материалом в исследовании микро- и нанооптоэлектронных устройств. Электрически возбуждаемые экситонные излучающие устройства являются ключевыми для изучения их новой физики излучения и продвижения интеграции микро- и нанооптоэлектронных устройств. В настоящее время экситонные излучающие устройства двухмерных полупроводников в основном сосредоточены в видимом диапазоне, а создание электролюминесцентных устройств в ближнем ИК диапазоне связи все еще является проблемой. Настоящее исследование основано на ближнеинфракрасных люминесцентных свойствах экситонов в двух- и трехслойном черном фосфоре, управляя их экситонным излучением с помощью поперечного электрического поля, и далее создано электрически управляемое инжекционно-независимое экситонное излучающее устройство ближнего ИК диапазона с рабочими длинами волн около 1150 нм и 1500 нм. Электрически управляемое ближнеинфракрасное излучающее устройство на основе экситонов тонкого слоя черного фосфора расширяет диапазон электролюминесцентных устройств двухмерных материалов и предоставляет новые материалы и пути для микро- и наноизлучающих устройств в ближнем ИК диапазоне.

двухмерные материалы; черный фосфор; экситоны; ближний инфракрасный; светодиод