Двумерные полупроводниковые материалы обладают атомной толщиной и ван-дер-Ваальсовскими интегрированными характеристиками, и излучение при комнатной температуре контролируется электронно-дырочной рекомбинацией, являются передовыми материалами для нанофотонных устройств. Среди них, устройства электрически возбужденного излучения основных носителей являются ключом для изучения новой физики излучения и продвижения интегрированного применения нанофотонных устройств. В настоящее время устройства электрически возбужденного излучения двумерных полупроводников сосредоточены в видимом диапазоне, и построение устройств электрически возбужденного излучения в ближнем инфракрасном диапазоне связи все еще вызывает вызовы. На основе характеристик флуоресценции экситонов двухслойного и трехслойного черного фосфора, используемого в этом исследовании для контроля излучения основных носителей поперечного поля и дополнительного строения устройств электрически возбужденного излучения в ближнем инфракрасном диапазоне, рабочие длины волн соответственно около 1150 нм и 1500 нм. Используя устройства электрически возбужденного излучения ближнего инфракрасного черного фосфора, расширяются диапазоны устройств электрически возбужденного излучения в ближнем инфракрасном диапазоне для фотонных устройств наполненных материалов.

Двумерные материалы; черный фосфор; экситон; ближний инфракрасный; светодиоды