Ферроэлектрический оксид Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT) обладает уникальной слоистой перовскитной структурой и превосходными ферроэлектрическими свойствами, при этом его кристаллическая структура может искажаться под воздействием внешнего электрического поля. Допирование BIT ионами редкоземельных элементов привлекает большое внимание благодаря чувствительности интенсивности излучения к изменениям кристаллической симметрии, что открывает возможности регулирования интенсивности излучения таких ионов с помощью внешнего электрического поля. Однако одновременное достижение высоких световых и ферроэлектрических характеристик предъявляет более высокие требования к видам и концентрации редкоземельных ионов, что является существенной задачей в данной области исследований. В данной работе методом сол-гель были приготовлены ферроэлектрические пленки BIT с различной концентрацией Eu³⁺ (BIT∶xEu), и систематически изучены их ферроэлектрические и люминесцентные свойства. При низкой концентрации Eu³⁺ (≤x0.5) ферроэлектрические свойства пленок значительно улучшились. При x=0.3 было достигнуто динамическое, обратимое и реальное управление интенсивностью фотоизлучения (PL) пленок BIT∶xEu под воздействием внешнего электрического поля. Кроме того, путем управления излучением PL успешно была реализована цифровая кодированная электрическая сигнализация с преобразованием в видимую световую волну и кодирование информации. Эти открытия предлагают новые идеи и техническую поддержку для применения в области оптического хранения информации и фотоэлектрических синаптических устройств.

Bi₄Ti₃O₁₂;Eu³⁺ допирование;ферроэлектричность;сол-гель метод;цифровое кодирование