Оксид лютеция (Lu2O3) рассматривается как перспективный материал для лазерных кристаллов благодаря высокой теплопроводности, низкой энергии фононов и сильному кристаллическому полю. Однако высокая температура плавления до 2450 ℃ приводит к значительным температурным градиентам, что вызывает множество дефектов. Исследования дефектов этого кристалла пока недостаточны, что затрудняет повышение качества кристалла. В данном исследовании мы использовали метод химического травления для изучения эффектов травления кристаллов Lu2O3 при различных условиях и определили оптимальные условия для изучения дислокационных дефектов Lu2O3 (массовая доля 70% H3PO4, 160 ℃, 15~18 мин). Морфология коррозионных ямок дислокаций на пластинах Lu₂O₃ с ориентациями (111) и (110) была охарактеризована с помощью микроскопа, сканирующего электронного микроскопа и атомно-силового микроскопа. Это исследование заполняет пробелы в понимании линейных дефектов Lu2O3 и предоставляет рекомендации для оптимизации процесса выращивания кристаллов и повышения их качества.