Ионы редкоземельных элементов обладают богатыми уровнями излучения, их можно внедрять в качестве центра излучения в ферроэлектрические материалы, и использовать ферроэлектрическую поляризацию для динамической настройки длины волны и интенсивности излучения редкоземельных ионов, что значительно повышает производительность полупроводниковых оптоэлектронных устройств. AlScN открывает новые возможности для создания новых многофункциональных излучающих устройств с помощью большой остаточной поляризации, широкой запрещенной зоны и высокой совместимостью с технологией CMOS. В данной статье было исследовано влияние примеси Эрбия(Er³⁺) на излучение и ферроэлектрические свойства пленок AlScN, при увеличении концентрации примеси увеличивается количество излучающих центров, на концентрации от 3.6% до 9.4% наблюдается увеличение интенсивности пика излучения Эрбия (Er³⁺), однако эффект потухания, вызванный концентрацией более 10%, приведет к ослаблению излучения. Примесь Эрбия (Er³⁺) приводит к незначительному ухудшению свойств AlScN, но при концентрации 9.4% все еще сохраняется остаточная поляризация более 80 μC/cm², что показывает способность к совместному присутствию излучения и сильной ферроэлектрической поляризации, что лежит в основе разработки новых многофункциональных высокоинтегрированных излучающих устройств на этом ферроэлектрическом материале.

AlScN;Er³⁺;photoluminescence;robust ferroelectric performance