Пикосекундный лазер отличается высокой энергией импульса, высокой плотностью мощности и низким тепловым эффектом, проявляя превосходные характеристики в микрообработке, точной резке и широко применяется в области лазерной обработки, авиации, космоса, биомедицины и др. Технология пассивного регулирования Q путем настройки Q-фактора резонатора стала одним из важных методов генерации пикосекундного лазера. В данной статье представлен обзор применения технологии пассивного регулирования Q при получении пикосекундных импульсов, с акцентом на использовании микроструктуры, SESAM (полупроводниковые насыщаемые зеркала поглощения) в качестве насыщаемого поглощателя и трехкристальной связывающей технологии для сокращения длины резонатора и, следовательно, получения пикосекундных импульсов и улучшения других характеристик при получении пикосекундных импульсов. Резюмируется значительный прогресс технологии пассивного регулирования Q на 1064 нм в области пикосекундных лазеров в последние годы и прогнозируется развитие и применение пассивного регулирования пикосекундных лазеров.

Пикосекундный лазер; Технология пассивного регулирования Q; Лазер на микрочипах; SESAM; Трехкристальные связывающие кристаллы