Пико-лазер обладает высокой энергией импульса, высокой плотностью мощности и низким тепловым эффектом, демонстрируя отличные характеристики в микрообработке, точной резке и других областях, широко применяясь в лазерной обработке, авиационно-космической промышленности и биомедицине. Техника пассивного Q-усиления достигает генерации импульсного лазера путем регулировки параметра Q резонатора и стала одним из важных методов генерации пико-лазера. В данной статье рассматривается применение технологии пассивного Q-усиления для получения пико-импульсов с акцентом на использование микроструктур, полупроводниковых насыщающих зеркал (SESAM) в качестве насыщаемого поглотителя и связующих кристаллов для сокращения длины резонатора, что способствует получению пико-импульсов, а также улучшение других характеристик при их достижении. Подведены итоги значительного прогресса технологии пассивного Q-усиления на длине волны 1064 нм в области пико-лазеров и рассматриваются перспективы развития и применения пассивных Q-пико-лазеров.