В настоящее время высокоразрешающие квантовые точечные светодиоды (Quantum dot light-emitting diode, QLED), изготовленные с помощью различных технологий паттернирования квантовых точек, широко сталкиваются с проблемой низкой эффективности, основной причиной которой являются большие токи утечки между пикселями. Для решения этой проблемы в данной работе была использована технология нанотиснения для изготовления сотовой пленки из полиметилметакрилата (Poly(methyl methacrylate), PMMA), которая была применена в качестве слоя блокировки зарядов в светоизлучающем слое QLED, что позволило успешно получить красное QLED устройство с разрешением 8467 пикселей на дюйм (Pixel per inch, PPI). Благодаря хорошим изоляционным свойствам PMMA, слой блокировки зарядов эффективно изолировал прямой контакт между слоем переноса электронов и слоем переноса дырок, значительно снижая ток утечки по сравнению с устройствами без слоя блокировки, что существенно повысило внешнюю квантовую эффективность (External quantum efficiency, EQE), максимальное значение которой достигло 15,31%, а максимальная яркость составила 100274 кд/м².

Квантовые точечные светодиоды (QLED); нанотиснение; высокое разрешение; слой блокировки зарядов