В настоящее время высокоразрешающие светодиоды на квантовых точках (Quantum dot light-emitting diode, QLED), изготовленные с помощью различных технологий паттернирования квантовых точек, обычно сталкиваются с проблемой низкой эффективности, главным образом из-за большого тока утечки между пикселями. Для решения этой проблемы в данной работе была использована технология наноимпринтинга для изготовления сотоподобной пленки поли(метилметакрилата) (Poly(methyl methacrylate), PMMA), которая была применена в качестве слоя блокировки зарядов в светоизлучающем слое QLED, что позволило получить красное QLED устройство с разрешением 8467 пикселей на дюйм (Pixel per inch, PPI). Благодаря хорошим изоляционным свойствам PMMA, слой блокировки зарядов успешно предотвратил прямой контакт между электронным транспортным слоем и слоем транспортировки дырок, снижая ток утечки в устройстве по сравнению с устройством без блока, что значительно повысило внешнюю квантовую эффективность (External quantum efficiency, EQE), достигшую максимума в 15,31%, и максимальную яркость 100274 кд/м².

Светодиод на квантовых точках (QLED); наноимпринтинг; высокое разрешение; слой блокировки зарядов