Электронные сборочные свойства перовскитных солнечных элементов (PSCs) являются одним из ключевых факторов, влияющих на производительность устройства. Диоксид олова (SnO₂), приготовленный методом химического осаждения из раствора, является распространенным материалом для электронно-транспортного слоя в PSCs, однако на его поверхности часто присутствуют многочисленные дефекты кислородных вакансий, вызывающие безызлучательные рекомбинационные потери на интерфейсе SnO₂/перовскита. В данной работе использовалась двойная молекулярная пассивация интерфейса с помощью тетрахлорида олова (SnCl₄) и аммонийного бихромата ((NH₄)₂CrO₄), что позволило успешно изготовить устройство с фотоконверсионной эффективностью 23,71%. После гидролиза SnCl₄ на пленке SnO₂ образуются частицы SnO₂ малого размера, формирующие ровную поверхность; (NH₄)₂CrO₄, выступая в роли окислителя, порождает сверхтонкий слой p-типного полупроводника Cr₂O₃, образующий p-n переход с SnO₂, компенсирующий избыточные кислородные вакансии на поверхности SnO₂, уменьшая безызлучательные рекомбинационные потери на интерфейсе, и повышая эффективность извлечения зарядов. При этом размеры кристаллитов перовскитной пленки, выращенной на двойной молекулярно пассивированной SnO₂, увеличиваются, а плотность дефектов снижается.

Перовскитные солнечные элементы;Диоксид олова;Дефекты;Двойная молекулярная пассивация