Электронные характеристики сбора в перовскитных солнечных элементах (PSCs) являются одним из ключевых факторов, влияющих на производительность устройства. Оксид олова (SnO₂), полученный методом химического осаждения из раствора, является распространённым материалом для электронного транспортного слоя в PSCs, однако его поверхность часто содержит множество кислородных вакансий, что приводит к безизлучательной рекомбинации на интерфейсе SnO₂/перовскитного подслоя. В данной работе использовали двойную молекулярную пассивацию интерфейса подслоя PSCs с помощью тетрахлорида олова (SnCl₄) и аммонийного хромата ((NH₄)₂CrO₄), успешно изготовив устройство с фотоконверсионной эффективностью 23,71%. После гидролиза SnCl₄ на плёнке SnO₂ образуются мелкие частицы SnO₂, формирующие ровную поверхность; (NH₄)₂CrO₄ выступает в роли окислителя, образуя сверхтонкий p-тип полупроводниковый слой Cr₂O₃, который формирует p-n переход с SnO₂, компенсируя избыток кислородных вакансий на поверхности SnO₂, уменьшая безизлучательную рекомбинацию на интерфейсе подслоя и повышая эффективность извлечения заряда. Кроме того, на SnO₂ с двойной молекулярной пассивацией размеры зерен перовскитной плёнки увеличиваются, плотность дефектов уменьшается.

перовскитные солнечные элементы;оксид олова;дефекты;двойная молекулярная пассивация