Для нарушения ограничений симметричной структуры равномерной решетки и дальнейшего увеличения эффективности сопряжения источника света на кремниевом интегральном фотонном чипе. В этом исследовании предложено проектирование эффективного постепенного решетчатого сопряжения на изоляционном основании кремния для использования с вертикальным излучающим лазером VCSEL, привязанным к кремниевой фотонной интегральной схеме, снижающим технологические требования к угловому положению сопряжения прибора VCSEL.