Микросветоизлучающие диоды (Micro-LED) обладают такими превосходными характеристиками, как высокая яркость, высокий контраст, низкое энергопотребление и быстрая реакция, что делает их широко применяемыми в наружных дисплеях, дополненной и виртуальной реальности. Однако микромасштабирование Micro-LED создало проблемы с контролем пространственного распределения интенсивности света. Для повышения световой эффективности часто применяется технология структурированного сапфирового подложки (Patterned sapphire substrate, PSS), которая оптимизирует извлечение света через микронные структурные элементы. В LED большого размера влияние PSS на пространственное распределение интенсивности света невелико, но в микронных Micro-LED оно заметно. В данной работе с помощью метода трассировки лучей систематически изучено пространственное распределение интенсивности света PSS Micro-LED разных размеров при разных смещениях массива для длины волны излучения 460 нм, а также количественно оценена степень асимметрии распределения и объяснено явление. Результаты показывают, что с уменьшением размера влияние PSS на пространственное распределение интенсивности света возрастает. При размере 3 мкм × 5 мкм степень асимметрии распределения по осям y и x достигает 3,06% и 4,22% соответственно, что влияет на равномерность свечения Micro-LED. Данное исследование предоставляет теоретическую поддержку для оптимального проектирования Micro-LED в дисплейных приложениях.

Micro-LED;структурированная сапфировая подложка (PSS);степень асимметрии