Влияние размера чипа и смещения массива на пространственное распределение световой интенсивности Micro-LED на структурированной подложке

ZHANG Jiachen ,  

LI Panpan ,  

LI Jinchai ,  

HUANG Kai ,  

LI Penggang ,  

摘要

Микро-светодиоды (Micro-LED) обладают такими превосходными характеристиками, как высокая яркость, высокий контраст, низкое энергопотребление и быстрая реакция, что делает их широко применяемыми в областях уличных дисплеев, дополненной и виртуальной реальности. Однако миниатюризация Micro-LED создает проблемы в контроле пространственного распределения световой интенсивности. Для повышения световой эффективности часто применяют технологию структурированной сапфировой подложки (Patterned sapphire substrate, PSS), оптимизируя световой выход через микронные структурные элементы. В светодиодах большого размера влияние PSS на пространственное распределение световой интенсивности относительно невелико, но в микрометровом Micro-LED влияние значительно. В данной работе методом трассировки лучей систематически исследовано пространственное распределение световой интенсивности Micro-LED с различными размерами PSS и длиной волны свечения 460 нм при различных смещениях массива, а также количественно оценена асимметрия распределения. Результаты показали, что с уменьшением размера влияние PSS на световое распределение усиливается. При размере 3 мкм×5 мкм асимметрия распределения световой интенсивности по осям y и x достигала 3,06% и 4,22%, соответственно, что влияет на равномерность свечения Micro-LED. Исследование предоставляет теоретическую поддержку оптимальному дизайну Micro-LED для дисплейных приложений.

关键词

Micro-LED; структурированная сапфировая подложка (PSS); асимметрия

阅读全文