Одностадийная модификация погруженного интерфейса для изготовления высокоэффективных перовскитных солнечных элементов и модулей

WANG Yao ,  

LI Weile ,  

MA Meng’en ,  

YANG Huidong ,  

CHEN Qian ,  

GONG Jian ,  

LIU Chong ,  

摘要

Дефекты интерфейса погруженного слоя в обратных перовскитных солнечных элементах являются важной причиной ограничения эффективности и стабильности устройств. Использование органических малых молекул для пассивации интерфейса эффективно уменьшает дефекты интерфейса и снижает безрадиационную рекомбинацию носителей заряда. В данной работе посредством сочетания пассивирующего материала с самособирающимся материалом для переноса дырок был достигнут одноэтапный пассивированный погруженный интерфейс с двухмерным перовскитным материалом, что привело к увеличению эффективности. В итоге, после пассивации погруженного интерфейса, перовскитные солнечные элементы, приготовленные методом скребкового нанесения, достигли коэффициента преобразования энергии 21,42%. Также были изготовлены солнечные фотоэлектрические модули с площадью отверстия 21,5 см2, получена эффективность 21,02%, и после упаковки они стабильно работали при 85°C и влажности 85% почти 1000 часов, что подтвердило масштабируемость и надежность метода для устройств больших площадей.

关键词

Перовскитные солнечные элементы; погруженный интерфейс; пассивация; самособирающийся монослой; высокая эффективность

阅读全文