На основе материалов нитрида III группы требуется высокопроизводительный красный светодиод InGaN для дисплея Micro LED. В данной работе используется поляризационная инженерия для построения плавного InGaN в качестве последнего квантового барьера (LQB) в красном светодиоде InGaN. Численное моделирование показывает, что взаимоугасающее электрическое поле в LED на основе нитрида может эффективно усилить способность квантового ямы к ограничению носителей и снизить напряжение включения прибора. Важно то, что в LED на основе нитрида будет одновременно образовываться электронные и дырочные потенциальные ямы в плавном слое LQB InGaN и на границе с p-GaN, что приведет к эффективному излучению света для красного светодиода InGaN, что в свою очередь повысит его световые характеристики. Эта работа представляет новые направления для проектирования структуры и изготовления высокоэффективных красных светодиодов InGaN.

InGaN; поляризационная инженерия; красный светодиод