Предложен пассивный модулируемый Q-лазер с боковой накачкой 978 нм на основе насыщаемого абсорбера из оксида сурьмы, легированного эрбием. Методом вертикального микропространственного сублимирования с химической реакцией (CVMS) успешно перенесен Sb2O3 на подложку Al2O3, проведена характеристика морфологии, структуры и других свойств. С помощью боковой накачки 978 нм выполнена пассивная модуляция Q на кристаллическом материале с добавкой Sb2O3-SA, легированном эрбием, максимальная энергия одиночного импульса и максимальная пик-ф мощность составили соответственно 6.84 мкДж и 1.12 Вт. С увеличением мощности накачки длительность импульса уменьшилась с 19.64 мкс до 6.09 мкс, а частота следования увеличилась с 19.10 кГц до 62.13 кГц. Центровая длина волны выходного лазера составляет 2793 нм, полуширина на уровне полувысоты (FWHM) на 2793 нм — 9.10 нм. Экспериментальные результаты показывают, что пассивный Q-модулируемый лазер на основе насыщаемого абсорбера оксида сурьмы в эрбиевом кристалле представляет новый подход для создания недорогих, более стабильных и просто сконструированных резонаторов ~3 мкм среднеинфракрасных лазеров на основе новых насыщаемых абсорберов.

Er3+; ~3 мкм лазер; пассивный Q-модулирование; насыщаемый абсорбер оксида сурьмы