Предложен пассивный Q-режим лазера на основе насыщаемого абсорбера из окиси олова с боковой накачкой 978 нм. Методом вертикальной микросублимации с химической реакцией (chemical reaction assisted vertical micro sublimation method, CVMS) успешно перенесли Sb₂O₃ на подложку Al₂O₃ и провели исследование морфологии, структуры и других характеристик. С использованием боковой накачки 978 нм достигнут пассивный Q-режим на кристалле, легированном эрбием на основе Sb₂O₃-SA с максимальной энергией одиночного импульса 6,84 мкДж и максимальной пиковой мощностью 1,12 Вт. При увеличении мощности накачки длительность импульса уменьшилась с 19,64 мкс до 6,09 мкс, а частота повторения возросла с 19,10 кГц до 62,13 кГц. Центровая длина волны выходного лазера находится на уровне 2793 нм, а ширина линии при половине максимума (FWHM) на 2793 нм составляет 9,10 нм. Экспериментальные результаты показывают, что пассивный Q-режим лазера на основе насыщаемого абсорбера из окиси олова и эрбиевого легирования является новым основанием для создания более низкозатратных, более стабильных и с простым дизайном резонатора лазеров в среднем инфракрасном диапазоне около 3 мкм.

Er³⁺; лазер ~3 мкм; пассивный Q-режим; насыщаемый абсорбер из окиси олова