Металлоксидные тонкопленочные транзисторы (MOTFTs) благодаря высокой подвижности носителей заряда и хорошей электрической устойчивости, обладают большим потенциалом для применения в качестве задней панели привода крупноформатных светодиодных дисплеев. Кроме того, MOTFTs совместимы с процессом изготовления аморфного кремния, что снижает стоимость производства и дает им большое конкурентное преимущество на рынке. Однако противоречие между двумя ключевыми показателями производительности MOTFTs - подвижностью и устойчивостью, ограничивает их использование в высококачественных дисплеях. Поэтому разработка MOTFTs с высокой подвижностью и устойчивостью стала активной точкой в исследованиях и фокусом индустрии. Множество исследований свидетельствуют о том, что активные полупроводниковые материальные системы с редкоземельными примесями могут достичь этой цели. В данной статье представлен обзор дизайна материалов с редкоземельными примесями и производительности MOTFTs с высокой подвижностью и устойчивостью, а также обсуждаются вызовы и потенциальные возможности развития транзисторов с металлоксидными тонкопленочными транзисторами с редкоземельными примесями (RE-MOTFTs).

металлоксидные тонкопленочные транзисторы; редкоземельные элементы; подвижность; устойчивость