Тонкопленочные транзисторы на основе металлических оксидов (Metal oxide thin film transistors, MOTFTs) обладают высоким подвижностью носителей заряда и хорошей электрической стабильностью, что делает их перспективными для применения в больших панелях для светодиодных дисплеев. Кроме того, MOTFTs совместимы с технологией изготовления тонкопленочных транзисторов на аморфном кремнии, что снижает производственные затраты и предоставляет значительные конкурентные преимущества на рынке. Однако противоречие между двумя ключевыми показателями эффективности MOTFTs — подвижностью и стабильностью — ограничивает их применение в высококлассных дисплеях. Поэтому разработка MOTFTs с высокой подвижностью и стабильностью стала важным исследовательским направлением и предметом промышленных конкуренций. Многочисленные исследования показывают, что системы активных полупроводников на основе редкоземельных примесных оксидов обладают потенциалом для достижения этой цели. В данной статье представлен обзор дизайна редкоземельных примесных оксидных материалов с высокой подвижностью и стабильностью, достигнутых характеристик MOTFTs, а также обсуждаются вызовы и перспективы развития редкоземельных металлических оксидных тонкопленочных транзисторов (RE-MOTFTs).

тонкопленочные транзисторы на основе металлических оксидов;редкоземельные элементы;подвижность;стабильность