За последние десятилетия одномерные наноматериалы оксида цинка (ZnO) привлекли широкое внимание благодаря своим уникальным оптическим и электрическим свойствам, демонстрируя выдающиеся характеристики в различных областях оптоэлектроники, включая светоизлучение, детектирование, сенсоры и катализ. Одномерные ядерно-оболочечные наноструктуры не только позволяют проводить поверхностную модификацию и интеграцию функциональных материалов, но и обладают оптическими свойствами с радиальной локализацией и осевой транспортировкой, а также электрическими характеристиками направленного переноса носителей заряда, что проявляет богатый физический и химический потенциал и играет важную роль в оптимизации производительности и расширении функций оптоэлектронных устройств. В данной статье представлены методы контролируемого синтеза одномерных нанорешеток ZnO, точное построение ядерно-оболочечных структур и исследования их фотолюминесцентных и электролюминесцентных свойств, а также обзор функциональных приложений в фотодетекторах, солнечных элементах, фотоэлектрохимическом катализе и фотосенсинге. В заключение приведены перспективы развития устройств на основе одномерных ядерно-оболочечных наноструктур ZnO и обсуждены существующие вызовы.

Одномерные нанорешетки ZnO; ядерно-оболочечные структуры; точное построение; оптоэлектронные устройства