За последние десятилетия моноосевые наноматериалы оксида цинка (ZnO) благодаря своим уникальным оптическим и электрическим свойствам продемонстрировали выдающиеся характеристики в области фотоэлектроники, такие как излучение, детектирование, датчики, каталитические реакции, привлекая широкий интерес и внимание. Одномерные наноструктуры с оболочкой не только способны реализовывать поверхностную модификацию и интеграцию функциональных материалов, но также обладают радиальной и осевой оптической способностью передачи энергии и электрической способностью передачи направленных носителей заряда, что проявляет богатые физические и химические свойства и играет важную роль в оптимизации производительности фотоэлектронных устройств и развитии новых функций. В данной статье представлены контролируемые методы синтеза одномерных наноструктур оксида цинка и точное строительство структуры оболочки, а также исследование свето- и электроизлучения. Обобщены функциональные прикладные разработки в области фотодетекторов, солнечных батарей, фотохимических каталитических реакций и фотодатчиков на основе одномерных наноструктур оксида цинка. В заключение обсуждаются перспективы развития и вызовы одномерных наноструктур оксида цинка для устройств и представлен прогноз.

моноосевые наноматериалы оксида цинка; структуры с оболочкой; точное строительство; фотоэлектронные устройства