Связанная энергия экситонов в ZnO до 60 меВ обеспечивает стабильное существование экситонной энергии при комнатной температуре и выше, что позволяет устройствам на основе сильного когерентного взаимодействия экситонов и фотонов в полостях ZnO преодолевать ограничения низкотемпературных экспериментальных условий традиционных полупроводников, что на протяжении последних десяти лет сделало этот материал предпочтительным для изучения экситонных поляритонов. В статье представлены основные полупроводниковые микрополости ZnO, а также обзор недавно опубликованных явлений, связанных с сильным когерентным взаимодействием и экситонными поляритонами в ZnO, включая лазеры с поляритонами, параметрическое рассеяние и квантовое управление состояниями, и, наконец, перспективы дальнейших исследований.

оксид цинка; экситонные поляритоны; оптические микрополости; конденсация Бозе-Эйнштейна