Для изучения влияния вставки GaAs на излучение материалов ингаAs множественной квантовой ямы в диапазоне длин волн 905 нм, материалы ингаAs множественной квантовой ямы в диапазоне длин волн 905 нм были приготовлены с использованием техники химического осаждения металлоорганических соединений (MOCVD) на основе материалов ингаAs/InAlGaAs и ингаAs/AlGaAs. По результатам тестов AFM и XRD было выявлено, что вставка GaAs способна оптимизировать шероховатость поверхности и качество кристаллической структуры обоих материалов. Результаты испытаний PL при комнатной температуре дополнительно показали, что вставка GaAs способна улучшить зонную структуру обоих материалов, усиливая излучение. Тесты PL при переменной температуре и мощности показали, что длина волны излучения материалов ингаAs/InAlGaAs меняется по закону S с увеличением температуры, характеристическое значение α < 1, механизм излучения при низкой температуре изменяется от излучения свободных экситонов до локального излучения. Для материалов ингаAs/AlGaAs вставка GaAs не изменила механизм излучения. Это исследование имеет значение в изучении влияния вставки GaAs на оптические свойства и механизм рекомбинации несущих в InGaAs/InAlGaAs и ингаAs/AlGaAs множественной квантовой яме.

Множественная квантовая яма, вставка GaAs, локальное состояние, химическое осаждение металлоорганических соединений (MOCVD)