Влияние регулировки толщины оболочки на светоиспускательные свойства квантовых точек AgInx Ga1-x S2/AgGaS2
摘要
С использованием технологии многократного чередующегося инжектирования прекурсоров оболочки успешно синтезированы экологически чистые квантовые точки AgInx Ga1-x S2/AgGaS2 (AIGS/AGS) с различной толщиной оболочки. Морфология и кристаллическая структура квантовых точек были подробно охарактеризованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии, а влияние толщины оболочки AGS на световые характеристики квантовых точек AIGS/AGS систематически проанализировано с использованием спектров поглощения и фотолюминесценции. Экспериментальные результаты показали, что правильное увеличение толщины оболочки AGS эффективно усиливает краевое излучение квантовых точек, подавляет дефектное излучение и значительно улучшает стабильность светоизлучения. После оптимизации квантовые точки AIGS/AGS с оптимальной толщиной оболочки (5 слоев) демонстрируют чистое зеленое излучение с длиной волны 532 нм и шириной на полувысоте (FWHM) 33 нм, фотолюминесцентный квантовый выход (PLQY) достигает 45%. При их применении в изготовлении квантовых точечных светодиодов (QLED) максимальная яркость устройства достигла 1 518 кд/м2, а внешняя квантовая эффективность (EQE) составила 0,26%, демонстрируя хорошие перспективы применения.
关键词
экологически чистые квантовые точки; квантовые точки AIGS/AGS; толщина оболочки; оптические свойства; краевое излучение
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website