Модификация затираемой интерфейсной поверхности эффективно повышает эффективность и стабильность перовскитных солнечных элементов. В данной работе с использованием двойного (трифенилфосфин) хлорида кобальта (BTPPCC) в качестве поверхностного модификатора затираемого интерфейса успешно пассивированы дефекты, сконцентрированные на нижней поверхности пленки MAPbI₃ перовскита, оптимизирован контакт интерфейса между пленкой перовскита и расположенным снизу слоем переноса дырок (HTL), улучшена кристаллизация светопоглощающего слоя перовскита. Кроме того, BTPPCC эффективно подавляет безызлучательные рекомбинации зарядов на интерфейсе, улучшая долговременную стабильность устройства, повышая эффективность преобразования энергии p-i-n устройства с 18,37% до 20,12%. Незапечатанное устройство сохраняет более 76% первоначальной эффективности после почти 500 часов непрерывной работы при комнатной температуре и относительной влажности 50%. Это предоставляет эффективный метод оптимизации затираемого интерфейса перовскита.

перовскитные солнечные элементы; затираемый интерфейс; пассивация дефектов