Для повышения эффективности инжекции дырок в GaN-основанных многоквантовых LED была разработана эпитаксиальная структура GaN с последним барьерным слоем разной структуры, и она была изготовлена как мини-светодиод зеленого света. С помощью низкотемпературной электролюминесценции и измерений вольтамперных характеристик исследован механизм переноса носителей заряда. Результаты показали, что в образцах с последним барьерным слоем из AlGaN или GaN/AlN больше носителей могут проникать в глубокие квантовые ямы, что повышает эффективность инжекции дырок. В статье изучены механизмы переноса носителей и роль дефектов V-ямок в этом процессе, выявлено, что улучшение в основном связано с увеличением доли инжекции дырок через V-ямки. Эксперименты также показали, что чрезмерно высокая доля инжекции через V-ямки приводит к увеличению безызлучательной рекомбинации, что подавляет электролюминесцентную эффективность образцов с последним барьерным слоем из AlGaN.

светодиод;последний барьерный слой;инжекция дырок;InGaN/GaN многоквантовые ямы;V-ямка