Исследован метод эпитаксиального роста светодиодов (LED, светодиодов) на подложках из сапфира/графена и улучшение их фотоэлектрических характеристик. Результаты показали, что подложка сапфир/графен имеет более низкую плотность дислокаций, винтовые и краевые дислокации уменьшились на 15,3 % и 70,8 % соответственно по сравнению с традиционными образцами. Рамановские тесты также показали, что сжимающее напряжение в образцах сапфир/графен меньше, чем в традиционных образцах. Анализ элементов показал хороший рост активной области квантовых ям, элементы In и Ga равномерно распределены в квантовых ямах без взаимной диффузии. Тестирование фотоэлектрических свойств показало, что при рабочем и насыщенном токах выходная мощность света (LOP) образцов сапфир/графен выше, чем у традиционных образцов, LOP увеличилась на 18,4 % и 36,7 % соответственно, а падение эффективности улучшилось на 9,9 % по сравнению с традиционными образцами. Согласно результатам температурных тестов, образцы сапфир/графен также демонстрируют более низкое тепловое сопротивление, температуру перехода и меньший сдвиг длины волны, среднее тепловое сопротивление ниже на 5,14 ℃/Вт по сравнению с традиционными образцами. Результаты показывают, что эпитаксиальный рост на основе подложек сапфир/графен значительно улучшает фотоэлектрические и тепловые характеристики устройств.

сапфир/графен;качество кристалла;падение эффективности;тепловые характеристики