Многоузловое заполнение и передача энергии широко распространены во всех областях светящихся материалов на редкоземельных элементах и имеют важное научное и практическое значение. Переходы 4f⁃5d Ce³⁺ и 4f⁃4f Eu³⁺ представляют собой два типичных типа электронных переходов ионов редкоземельных элементов. Мы рассматриваем и обсуждаем многоузловое заполнение и безызлучательную передачу энергии ионов редкоземельных элементов на примере E (δ) − Gd₂Si₂O₇ (Pnma), G − La₂Si₂O₇ (P2₁/n) и F − Eu₂Si₂O₇ (P<inline-formula><alternatives><math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"><mover><mrow><mn mathvariant="normal">1</mn></mrow><mo>¯</mo></mover></math><graphic specific-use="big" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="alternativeImage/807797CE-5AE6-42cf-A417-D9C2E3CAEEE0-M001.jpg"/></graphic><graphic specific-use="small" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="alternativeImage/807797CE-5AE6-42cf-A417-D9C2E3CAEEE0-M001c.jpg"/></alternatives></inline-formula>) в качестве примеров, с акцентом на кристаллическую структуру, чистоту образца, концентрацию легирования, спектроскопию, передачу энергии между позициями и разрешение спектра. В исследованиях светящихся материалов, активированных ионами редкоземельных элементов, необходимо учитывать согласованность структуры материала и спектра, а также анализировать передачу энергии между позициями (включая отдачу и приём энергии) через спектроскопию и динамику затухания люминесценции. Надеемся, что данный материал вдохновит начинающих исследователей в данной области в экспериментах и характеристиках.

Светящиеся материалы на редкоземельных элементах;Заполнение узлов;Передача энергии;Кристаллическая структура;Разрешение спектра