Квантово-точечное электролюминесцентное устройство на основе неорганического слоя генерации заряда MoO3/ZnO
摘要
Окись цинка (ZnO), будучи превосходным материалом для передачи электронов, широко применяется в высокопроизводительных квантово-точечных электролюминесцентных устройствах (QLED). Однако из-за высокой скорости передачи заряда слоя ZnO в устройство вводится чрезмерное количество электронов, что приводит к дисбалансу носителей заряда внутри устройства и снижению его эффективности. Кроме того, гигроскопичность ZnO облегчает воздействие внешней среды (влажности и кислорода) на контакт между электродом и ZnO, что влияет на стабильность хранения устройства, особенно в QLED с перевёрнутой структурой. Для решения этих проблем мы использовали MoO3/ZnO в качестве слоя генерации заряда (CGL) для создания QLED с перевёрнутой структурой. Эта конструкция улучшила проблему дисбаланса носителей заряда, увеличив максимальную токовую эффективность устройства с 12,8 cd/A до 15,7 cd/A. Кроме того, CGL не требует инжекции заряда от электрода, а генерирует заряд под воздействием электрического поля, вводя его в световой слой, что снижает влияние интерфейса электрода на производительность устройства и значительно повышает его стабильность.
关键词
слой генерации заряда; хранение заряда; перенапряжение; переходная электролюминесценция
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website