С ростом глобального трафика данных кремниевые фотонные интегральные схемы стали перспективным направлением исследований в области высокопроизводительной оптической связи внутри и между чипами. Однако из-за крайне низкой эффективности свечения собственного кремния источники света на кремниевой подложке являются одними из самых сложных компонентов в фотонных интегральных схемах. Для решения проблемы отсутствия родных источников света широко изучаются интегрированные на кремнии III-V полупроводниковые лазеры, которые обеспечивают превосходные оптические и электрические характеристики. Отметим, что использование квантовых точек в качестве усилительного материала в III-V лазерах привлекло значительное внимание благодаря множеству преимуществ, таких как высокая толерантность к кристаллическим дефектам, низкая температурная чувствительность, низкая пороговая плотность тока и низкая чувствительность к отражениям. Зона усиления с квантовыми точками демонстрирует значительные улучшения по сравнению с квантовыми ямами в фотонной интеграции. Полоса усиления может быть оптимизирована по проекту и обеспечивать лазерную генерацию по всему близкому инфракрасному диапазону. Энергетическое разделение квантовых состояний от окружающих материалов обеспечивает отличные характеристики при высоких температурах и восстановление усиления на субпикоcекундном временном масштабе. В данной статье представлен обзор последних достижений в области кремниевых III-V полупроводниковых квантовых точечных лазеров с различных аспектов: материалов квантовых точек и квантовых точечных лазеров, технологий вафельной пайки, обратной пайки и прямого эпитаксиального роста, а также обсуждаются перспективы и вызовы в этой области.

кремнивая фотоника;лазеры с квантовыми точками на чипе;фотонная интеграция