Широкозонный полупроводниковый детектор ультрафиолетового излучения на основе ZnO обладает высокой стабильностью и низкой стоимостью, имеет важные перспективы применения в областях обороны, медицины и мониторинга окружающей среды. В данной работе с использованием технологии радиочастотного магнетронного распыления на подложке SiO₂ был получен ZnO-пленочный материал, на основе которого создан ультрафиолетовый фотодетектор с металлической⁃полупроводниковой⁃металлической (MSM) структурой и высоким усилением. При напряжении смещения 10 В чувствительность и внешняя квантовая эффективность детектора составили 4,90 А/Вт и 1668% соответственно. Это объясняется высокой усиленной ловушкой дырок на границе между полупроводником и металлом в условиях освещения. Кроме того, исследованы закономерности и механизмы влияния усиления, приложенного смещения и ширины обеднённого слоя на чувствительность ZnO ультрафиолетового фотодетектора, что предоставляет важные ориентиры для разработки и регулирования характеристик высокоэффективных УФ-фотодетекторов.

ZnO;ультрафиолетовый фотодетектор;чувствительность;эффект усиления;обеднённый слой