Дневно-слепые ультрафиолетовые детекторы имеют широкие перспективы применения как в оборонной, так и в гражданской сферах. Основанные на полупроводниковых материалах с широкой запрещённой зоной дневно-слепые УФ-детекторы обладают такими особенностями, как отсутствие необходимости в дорогих фильтрах, низкое рабочее напряжение, полностью твёрдотельная конструкция, небольшой размер, небольшой вес, высокая помехоустойчивость и широкий температурный диапазон работы, что делает их признанными представителями нового поколения УФ-детекторов. Среди множества материалов с широкой запрещённой зоной оксид галлия Ga₂O₃ является типичным представителем, обладающим превосходными электрическими и фотоэлектрическими характеристиками, и в последние годы стал одним из основных объектов исследований в микроэлектронике и оптоэлектронике. Особенно его свойства, такие как врождённая дневная слепота, высокая термостойкость, устойчивость к высокому давлению и хорошая химическая стабильность, придают материалу значительный потенциал для развития в области дневно-слепых ультрафиолетовых фотодетекторов. В связи с этим в статье приведён обзор исследований тонких плёнок оксидов галлия различных кристаллических структур, галлатов, галлиевого олова, галлиевого алюминия и исследований соответствующих дневно-слепых УФ-детекторов.

дневная слепота;ультрафиолетовый детектор;Ga₂O₃;оксид галлия;галлаты;галлиевые тройные сплавы оксидов