Использование органических мелкомолекулярных пассивирующих агентов для обработки нижней поверхности перовскита (закопанная интерфейс) эффективно подавляет образование дефектов на закопанном интерфейсе перовскита и снижает вероятность рекомбинации носителей заряда. В данной работе пассивирование закопанного интерфейса перовскита осуществлено предварительным осаждением пассивирующей молекулы фенилэтиламина (PEA). Размер кристаллитов перовскита и морфология поверхности после пассивирования не изменились существенно, наблюдался небольшой красный сдвиг края поглощения и длины волны излучения, а энергия наивысшего занятого молекулярного орбитального уровня слегка увеличилась. Энергия связи элемента "Pb" сместилась в сторону более высоких уровней энергии, а энергия связи элемента "N" — в сторону более низких уровней энергии, при этом количество остаточного PbI₂ в перовските заметно уменьшилось, что показывает, что пассивирующая молекула PEA взаимодействует через атом "N" с подвешенным "Pb" на нижней поверхности перовскита и остаточным PbI₂. Открытое напряжение, плотность короткого замыкания, коэффициент заполнения и эффективность преобразования перовскитных солнечных элементов с пассивированием PEA увеличились с 1.041 В, 21.29 мА/см², 74.09% и 16.41% до 1.102 В, 22.44 мА/см², 79.28% и 19.6% соответственно. Существенное улучшение производительности устройств обусловлено снижением рекомбинации носителей, что связано с: (1) пассивированием дефектов незавершенной координации "Pb" с помощью PEA; (2) пассивированием дефектов, вызванных сложной фазой микрокристаллов галогенидного свинца; (3) повышением скорости переноса заряда между перовскитом и слоем переноса дырок. Стабильность пассивированных перовскитных солнечных элементов значительно улучшена. Эта простая и эффективная стратегия пассивирования закопанных интерфейсов может быть применена для масштабного производства перовскитных солнечных элементов в будущем.

перовскит переноса энергии; закопанный интерфейс; фенилэтиламин; пассивирование; солнечные элементы