Использована техника металлорганического химического осаждения из паровой фазы для выращивания тонкой пленки оксида галлия на c-плоскости сапфировой подложки, затем с помощью фотолитографии, снятия маски и электронно-лучевого испарения на поверхности тонкой пленки оксида галлия были изготовлены асимметричные боковые электроды, где Pt/Au выступает в роли шотткиевского электрода, а Ti/Al/Ni/Au — омического электрода; для обеспечения хорошего омического контакта и повышения эффективности инжекции носителей на интерфейсе применялся отжиг образцов после осаждения Ti/Al/Ni/Au. Связанные результаты показывают, что шотткиевский фотодиод Pt/β⁃Ga₂O₃ обладает хорошим уровнем обнаружения в глубоком ультрафиолетовом диапазоне. При смещении -5 В показатели чувствительности и внешнего квантового выхода составляли соответственно 3.4 А/Вт и 1.66×10³%. Детектор обладает выявительной способностью до 10¹³ Джонсов, что свидетельствует о его отличной способности обнаружения слабых сигналов. При этом чувствительность и внешний квантовый выход уменьшаются с увеличением интенсивности света из-за возросшей концентрации фотогенерированных носителей, повышающей вероятность рекомбинации электрон–дырка. В режиме самоуправления шотткиевский фотодиод Pt/β⁃Ga₂O₃ демонстрирует высокую скорость отклика с чувствительностью 2.69 мА/Вт. Кроме того, детектор стабильно работает при высоких напряжениях -100 В и +100 В, что подтверждает его хорошую стабильность при высоком напряжении.

оксид галлия;шотткиевский фотодиод;ультрафиолетовое обнаружение;автономная работа