Широкополосные полупроводниковые лазеры широко применяются в лазерном накачивании, лазерной обработке и других областях. Для решения проблем широкого спектрального выхода и малого диапазона настройки широкополосного полупроводникового лазера использовались отражательные дифракционные решетки с эффективностью дифракции 28% и 55% в качестве элементов обратной связи для создания внешнего резонатора с сеткой на длину волны 970 нм. Изучено влияние параметров лазера с конструкцией Литтроу на его характеристики (диапазон настройки, мощность, ток порога, ширина линии). Экспериментальные результаты показывают, что оптимизация конструкции позволяет получить узкоспектральный настраиваемый лазерный выход, надлежащее повышение температуры и использование решеток с более высокой эффективностью дифракции увеличивают диапазон настройки лазера, а решетки с более высокой эффективностью снижают ток порога лазера. На основе S-поляризованного падения внешнего резонаторного лазера с сеткой можно достичь диапазона настройки длины волны до 27,87 нм, спектральная ширина линии сужена до 0,2 нм, выходная мощность достигает 1,11 Вт.

Полупроводниковый лазер; Дифракционная решетка; Настройка длины волны; Ток порога