С помощью изготовления Au-щелевых электродов на поликристаллических алмазных пленках, выращенных методом химического осаждения из плазмы с постоянным током (DC-PJCVD), был создан фотодетектор с солнечным блокированием ультрафиолетового излучения на основе структуры металл-полупроводник-металл (MSM). Исследовано влияние различных фотолитографических процессов на характеристики изготовленных алмазных детекторов. Результаты показывают, что устройства, изготовленные методом лить-офф (lift-off) фотолитографии, значительно превосходят устройства, сделанные методом влажной литографии: фототок I_light увеличился в 4.4 раза, отношение фототока к темновому току улучшилось в 6.8 раза, а отклик при напряжении 25 В повысился в 9 раз и достиг 0.15 А/Вт. На этой базе с помощью технологии lift-off были изготовлены Au, Ti, Ti/Au и Ag щелевые электроды, и проведено сравнение характеристик алмазных УФ-детекторов с различными металлическими электродами. Среди них электрод из Ag показал лучшие показатели благодаря эффекту туннельного барьера, вызывающему усиление, где при смещении 25 В фототок I_light достиг 0.21 мкА, а отклик поднялся до 0.78 А/Вт, что сравнимо с ранее опубликованными результатами. По сравнению с устройствами с обычными Au электродами фототок увеличился в 5.2 раза, отношение фототок/темновый ток улучшилось в 7 раз, а отклик — в 5.2 раза.

алмазные пленки;процесс фотолитографии lift-off;Ag электроны;солнечный блокирующий УФ-детектор