Одним из условий для достижения высокой эффективности фотоэлектрических устройств является эффективное поглощение падающего света поглощающим слоем, поэтому системный анализ механизмов оптических потерь в перовскитных солнечных элементах и оптимизация поглощения света в поглощающем слое крайне важны для повышения эффективности. В данной статье рассматриваются перовскитные солнечные элементы с обратной плоской структурой, проводится сравнительное исследование влияния изменения толщины интерфейсного слоя между перовскитным поглощающим слоем и [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) на фотоэлектрический ток, с использованием данных внешней квантовой эффективности (EQE), оптических характеристик тонкой пленки и теоретического моделирования. Результаты показывают, что помимо паразитного поглощения, интерфейсный слой влияет на распределение светового поля, что в свою очередь сказывается на поглощении света в поглощающем слое устройства. Моделирование показало, что оптимальными являются перовскитовые пленки толщиной 660 нм и PCBM толщиной 40 нм, для которых суммарный ток составляет 24,93 мА/см². В статье также изучено влияние добавления слоя PbI₂ на свойства поглощения перовскитного слоя: результаты показали, что скопление PbI₂ со стороны падающего света приводит к значительным оптическим потерям, в то время как скопление PbI₂ со стороны заднего электрода оказывает меньший эффект.

перовскит; оптический анализ; модель матрицы переноса; поглощение света