Глубокие ловушки в материалах с длительным послесвечение обладают превосходными свойствами хранения и высвобождения энергии, что обеспечивает им значительные преимущества в области оптического хранения информации. В данной работе синтезирован новый желтый материал с длительным послесвечение γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ методом высокотемпературной твердотельной реакции. Его спектр излучения представляет собой широкополосное излучение с центром на 565 нм в диапазоне 400~800 нм, что соответствует переходу ³P₁→¹S₀ ионов Bi³⁺. После облучения ультрафиолетовой лампой образец γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ демонстрировал яркое желтое длительное послесвечение. Анализ термолюминесцентных спектров показал наличие трех основных ловушек с глубиной 0.678, 0.838 и 0.978 эВ соответственно. Мелкая ловушка глубиной 0.678 эВ является основной причиной эффекта длительного послесвечение в этом материале, а глубокая ловушка с глубиной 0.838 эВ сохраняет интенсивность пика термолюминесценции на уровне 81.4% через 12 часов, что указывает на медленное высвобождение электронов из глубоких ловушек. На основе свойств глубоких ловушек разработан буквенный рисунок и проведены эксперименты по оптическому хранению информации, результаты которых демонстрируют потенциал материала для применения в информационном хранении.

хранение информации; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; желтое длительное послесвечение; ловушки