Гетероструктурный высокояркий желтый светодиод на одном микроволокне легированного галлием оксида цинка

XU Hai-ying ,  

LIU Mao-sheng ,  

JIANG Ming-ming ,  

MIAO Chang-zong ,  

WANG Chang-shun ,  

KAN Cai-xia ,  

SHI Da-ning ,  

摘要

Светоизлучающие устройства видимого света, построенные на полупроводниковых низкоразмерных микро- и наноструктурах, особенно источники желто-зеленого света в диапазоне 500 ~ 600 нм, благодаря высокой эффективности излучения, длительному сроку службы и низкому энергопотреблению широко применяются в сверхвысокоточных дисплеях и освещении, одномолекулярном датчике и визуализации. Однако высокопроизводительные низкоразмерные желто-зеленые светодиоды серьезно ограничены в аспектах подготовки светящихся материалов, конструкции устройств, а также эффектах "зеленого/желтого разрыва" и "эффекта снижения эффективности (droop)" в светоизлучающих устройствах, что значительно влияет на разработку и применение низкоразмерных микро- и наноструктурных желто-зеленых светодиодов. В данной работе построен гетероструктурный желтый светодиод на основе одиночного микроволокна легированного галлием оксида цинка (ZnO:Ga) и p-типа подложки InGaN, с выходной длиной волны около 580 нм и полушириной примерно 50 нм. С увеличением инжекционного тока пики спектра и полуширина практически не меняются, а квантовый эффект Старка, широко наблюдаемый в световых источниках на основе InGaN, отсутствует. Цветовые координаты устройства постоянно находятся в области желтого цвета. Более того, внешняя квантовая эффективность устройства при больших токах инжекции не показывает значительного снижения. В сочетании с фотолюминесцентными спектрами одиночного микроволокна ZnO:Ga и InGaN, а также теорией структуры энергетических зон гетероструктуры n-ZnO:Ga/p-InGaN, можно сделать вывод, что излучение данного устройства возникает из радиативной рекомбинации носителей заряда на интерфейсе микроволокна ZnO:Ga и области перехода InGaN, при этом эффект droop заметно подавлен. Экспериментальные результаты показывают, что гетероструктура n-ZnO:Ga микроволокно/p-InGaN может быть использована для изготовления высокоэффективных, высокоярких низкоразмерных желтых светодиодов.

关键词

желтый светодиод; микроволокно легированного галлием оксида цинка; индий-галлиевый нитрид; внешняя квантовая эффективность; эффект droop

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website